凯基特KJT-KELR-TE系列激光位移传感器采用三角法测量原理,利用线阵CMOS器件作为光学接收器件,具有测量精度高、测量时间短等特点,产品光路经过独特的产品设计,成像质量稳定;具有独特的补光技术,适用于工业现场应用。
供电电压
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Uv12V DC~24V DC±10% |
残余纹波 |
脉动P-P10% |
消耗电流 |
60mA以下(电源电压12VDC时) |
≤40mA以下(电源电压24V DC时) |
直线性 |
±0.1%F.S |
±0.2%F.S |
外壳材料 |
铸铝合金(AL) |
有机玻璃(PMMA) |
连接类型 |
引线 |
显示器 |
4位数码管 |
2xLED |
外壳防护等级 |
IP67 |
防护等级 |
III |
(注1): 未指定时的测量条件如下:电源电压: 24V DC、周围温度:+20℃、反应时间: 10ms、测量中心距离的模拟输出值。 对象物体:白色陶瓷。 (注2):根据FDA规则的Laser Notice No.50的规定、并以FDA为基准。 (注3): 该值为测量中心距离上的值。以中心光强度的1/e2 (约13.5%)定义这些值。 如果定义区域外有光泄漏,并且检测点周围有高于检测点本身的强反射,检测结果可能会受到影响。
性能
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TE20 |
测量中心距离 |
200mm |
测量范围 |
±80mm |
光束直径 |
约φ300μm |
重复精度 |
200μm |
受光元件 |
CMOS图像传感器 |
光源 |
红色半导体激光2级(JIS/IEC/GB)、Ⅱ级(FDA)(注2) |
控制输出 |
〈NPN输出型〉 NPN开路集电极晶体管 最大流入电流:50mA 外加电压:30VDC以下(控制输出和0V之间) 剩余电压:1.5V以下(流入电流50mA时) 漏电流:0.1mA以下 |
〈PNP输出型〉 PNP开路集电极晶体管 最大源电流:50mA 外加电压:30V DC以下(控制输出和+V之间) 剩余电压:1.5V以下(流入电流50mA时) 漏电流:0.1mA以下 |
模拟输出 |
模拟输出·输出范围:0V~5V(正常时);5.2V(报警时) 输出阻抗:100Ω |
输出范围: 4mA~20mA(正常时); 0mA(报警时) |
动作输出 |
负载阻抗:300Ω 最大;入光时ON/非入光时ON可切换 |
短路保护 |
自动复位式 |
使用说明 本产品用户交互接口主要由数码管、LED指示灯以及按键组成。数码管及LED指示灯用于产品信息显示,按键用于对产品参数进行修改
高精度CMOS影像传感器&配备算法 采用位移传感器所使用的高精度CMOS影像传感器,以及位移传感器一直使用的本公司独特的算法,实现了微型激光传感器1mm/100mm的高精度
注意 请勿将本产品用作保护人身安全的检测装置使用。 对于以保护人体为目的的检测装置,请使用符合 OSHA、ANSI 及 IEC 等各国有关人体保护用品法律和标准的产品。 请勿按照产品附带的使用说明上所未记载的方法进行操作。按照规定以外的步骤进行控制、调整时,可能会受到危险的放射性激光的照射。 本产品为符合JIS/IEC/GB标准的2级激光产品或 FDA规则的Ⅱ级※激光产品。该产品存在一定危险,请勿直视激光或通过透镜等进行观察。
相对于移动体的方向 <材质、有色差的情况下> 测量时,移动的测量对象物的材质、颜色极端不同的情况下,按照下图所示方向进行安装,从而可将测量误差控制在最小限度。材质、有色差的情况下>
<对旋转的对象物进行检测> 对旋转的对象物进行测量时,按照下图所示方向进行安装,从而可抑制对象物的上下振动和位置偏移等的影响。对旋转的对象物进行检测>
<存在段差的情况下> 移动的检测对象物存在段差的情况下,请按照以下方法进行安装,从而可在测量时抑制段差边缘所产生的影响。存在段差的情况下>
在狭隘场所和凹陷部分进行测量。 在狭隘场所和孔中进行测量的情况下,安装时,请注意避免遮挡投光部至受光部的光路。
安装在墙上时 请按照以下方法进行安装,以免墙面产生的多重反射光入光到受光部分。另外,墙面反射率较高的情况下,如改为无光泽的黑色,则效果更好。
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